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型号 IPS110N12N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3
IPS110N12N3 G PDF
代理商 IPS110N12N3 G
标准包装 2,500
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 75A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 毫欧 @ 75A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 83µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 4310pF @ 60V
功率 - 最大 136W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备封装 PG-TO251-3
包装 带卷 (TR)
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